Número estándar: SJ/T 10482-1994(SJ/T10482-1994)
Chino:半导体深能级的瞬态电容测试方法
Español:Método de prueba de capacitancia transitoria para niveles de energía profundos en semiconductores
Fecha de entrada en vigor:1994-10-01
Alcance estándar:
Descargable en PDF: N
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